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低碳高硅球铁理论

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  • TA的每日心情
    开心
    2018-5-28 23:25
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    [LV.4]偶尔看看III

    发表于 2008-10-16 14:53:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    哪位手上有低碳高硅球铁理论的?请上传学习一下.该理论认为,在一定CE下,低碳高硅,石墨球间距大,球数少,使球铁具有更好的综合性能.
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-6-12 19:11
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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2008-10-16 18:05:09 | 显示全部楼层
    所指低碳高硅球铁,一般碳,硅范围分别在多少?
  • TA的每日心情
    开心
    2018-5-28 23:25
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    [LV.4]偶尔看看III

     楼主| 发表于 2008-10-18 12:54:41 | 显示全部楼层
    回复XYZHLAN:3.4-3.6C,3.0-3.3Si
  • TA的每日心情
    开心
    2019-9-19 08:54
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    [LV.4]偶尔看看III

    发表于 2008-10-18 13:02:49 | 显示全部楼层
    高镍奥氏体球墨铸铁就是基于上述理论,可惜没有具体资料。静候!!!
  • TA的每日心情

    2025-6-16 16:05
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    [LV.10]以坛为家III

    发表于 2008-10-18 15:56:05 | 显示全部楼层
    在实践中有时我门的C在3.2-3.4,强度可以达到QT700
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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2008-10-18 21:04:10 | 显示全部楼层

    回复 3楼 的帖子

    楼主如此的碳硅含量应该也是一般正常的球铁成分含量呀,也不算低碳高硅呀,奥氏体球墨铸铁是低碳高硅球铁
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-6-12 19:11
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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2008-10-18 21:06:19 | 显示全部楼层

    回复 5楼 的帖子

    你是铸态情况下吗??
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