Gatan MonoCL4世界先进阴极发光（CL）系统

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Gatan MonoCL4世界先进阴极发光（CL）系统

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新一代产品
. [- U4 M9 U, f! Q8 w6 |MonoCL4是Gatan公司生产的世界领先的阴极发光(CL)系统中的最新一代。MonoCL成为高分辨阴极发光成像及光谱分析的代名词己经超过15年，已成功安装在成百上千的扫描电镜、透射电镜和电子探针上。MonoCL4在性能和功能上的最新进展使其继续站在CL领域的最前沿。
MonoCL4的设计使用直接耦合腔式单色器与高效率探测器。该设计的最大优势在于使阴极发光的采集效率达到最大化。这种方式的光损失最低，并在很宽的光谱范围内获得最大的灵敏度，从而使MonoCL4拥有无与伦比的灵敏度。因而可实现：
6 L$ `+ |) ^) E# A•低注入最，获得高空间分辨率，避免非平衡状态的产生及最小化光诱导假象；
) f( O7 O2 W  |9 ~! g•窄带宽操作，获得高光谱分辨率及单色成像；
•缩短采集时间，提高使用效率；
6 k: t2 g# }# u3 W6 x•为更多的样品提供CL应用.甚至可应用在某些束流有限的SEM；
•为产生阴极发光体积元有限的样品提供CL分析。比如薄膜、纳米线、纳米颗粒和TEM样品等。

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高级应用
CL是一种强效的光子表征工具，根据电子束流的大小及可调性.可实现高空间分辨率和大景深的光谱分析。
" m8 `5 r* H& o. O" k- rMono CL的应用促进了导体材料和光电材料的理解和认识，这包括氮化物半导体薄膜、纳米结构和异质结及纳米结构氧化物（ZnO1 ZrO2和Y3Al5O12）、磷化锢和稀有掺杂材料。尽管硅是一种弱的发光体.但是MonoCL的高效收集效率、色散性能及探测能力使其成为硅基光伏材料和发光材料的一种重要的表征工具。
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在地质学应用中，CL能够用来确定物源及成岩作用，提供一种简单的方法用来区别矿物，观察愈合裂纹、化学过增长和鉴定精细的振荡环带，因而CL在地质学中发挥着及其重要的作用。
CL适用干几乎所有的柞金属材料的研究，甚至对于某些金属结构的材料。观察其表面等离子振荡模已成为一种新兴的应用。
在医药工业中。CL可用来大量地筛选活性药物的成分，并提供光谱指纹图谱。在司法鉴定和食品科学中也具有重要的应用价值.
在生命科学中，结合荧光显微分析的优点和电子显微镜的高空间分辨能力，使CL能够作为发光标记使用。
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最优化的CL配置
MonoCL4产品家族提供了一系列离性能的CL解决方出，单独设计，用采满足您不同的电镜需要。核心的MonoCL4产品提供:
2 g- d; q6 F7 _5 e# o8 y, D1.高空间分辨率和光谱解析度的全色成像和单色成像
2.“点击”透排光谱分析、成像及面分布等工作模式
3.通过可选的滤波片可进行短通（shortpass）、长通（shortpass）和带通（babdpass）成像，提高灵活性
4.透取不同的探侧器和衍射光栅，优化在紫外、可见和红外光等不同波长范圈内的应用
5.可通过电脑和/手动方式进行探测器设定
6 Z. A4 H5 |# ^- Z6 y6.内置工厂记录的光调响应曲线
) B( K3 }) Q% N; ^9 g7 O7.提高了在紫外和红外波段的灵敏度
; j1 o7 j0 J* D  q- B! A# f8.UV优化选配件.使其可分析小于200nm的波长
9.监侧信号随时间的演变
" J6 ]8 s! e9 }" h9 e  L10.新的设计和软件功能使光扭的交换更方便.
   同时保持光讲校准
模块化的设计结构.使今后升级或者增加额外的择侧器来扩展可分析的波长范围变得更方硬、更实惠。
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MonoCL4 Swift包含了一个额外的阵列探测器，因而具有：
•快速讲行“并行”光迸采集，效率卓越
•对于检侧电子束敏感的试样。至关重要
MonoCL4 Plus提供了超高的灵敏度及灵活性。它包含了一个冷却的、高灵敏度的PMT和高性能的DigiScanIITM数字化电子束控制系统.实现高位的图像采集和分析。提高SEM成像性能。扩展其应用范围。

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•多个成像及面分布输入的同时采集
• 灵活设定的像素密度及采集时间——对于许多CL应用非常关键
: z# S2 I2 I% f7 K1 s4 D. q7 L• 定量的脉冲面分布(作为标准模拟信号成像的补充)
$ b7 V  X! @6 @# \•线扫描分布功能
•具有漂移矫正的多图像叠加
# T- Z/ N1 c0 ?- k$ H4 {3 mMonoCL4 Elite是最高级CL版本，它集合了MonoCL4 Swift的高速度和MonoCL Plus的高灵敏度，利用Gatan业界领先的谱图面分布（SI）软件，把诸多先进的分析功能融于其中。
' ~! y& f1 ]5 J9 c8 i/ q* p+ }2 E/ p•使用数据后处理，能够提供带通（band-pass）图像
•利用参考谱对数据进行MLLS拟合，建立拟合系数面分布
+ y+ d1 i% Q; W& x1 [8 ?1 t9 X•把高斯曲线拟合于谱图，可得到振幅、峰移和峰宽的面分布，对于半导体和陶瓷材料中合金成分变化的面分布以及应力分布的分析十分有用
•亚像素扫描以提高统计的置信度

利用样品台扫描选项，可获得更大视野
& K* \% t: Y2 r; O* v* [% h- M•可用其他信号的同时SI采集，例如，EDS和EELS
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兼容性
兼容常规电镜、低真空或场发射电镜、FIB/SEM双束系统和离子显微镜，并有特殊版本用于电子探针（S）TEM和UHV样品仓
- [) V7 b8 a+ {% J: K. ]MonoCL4完全兼容Gatan全系列的液氮和液氨冷台，从而增强CL信号的强度，提高谱的甄别，便于谱的诠释——完整的解决方案。
# o: }- w) l. r! U1 qSmartEBIC，Gatan的定量EBIC系统也可共享MonoCL4平台
( j- R, M' p+ w) d) ZA多晶金刚石的变质再结晶，DrE.Vicenzi,Smithsonia Institution,Washington.D.C.
B CdZnTe材料，显示出错、亚晶边界。掺杂、合金与杂质的偏析、孪晶与堆垛层错
: \, l7 {" A: y. aC 包含内部缺陷的AlGAN金字塔结构
) V1 Y/ L/ b3 ZD AlGAN薄膜横截面。合成图像，利用DigiScan色彩混合功能伪彩处理，温度=6K。DrU.JaHn，Paul Drude Institute，Berlin
, Q0 \6 P# i: C; P0 a, A( J8 A) `1 p! rE GaAs/AlAs/AlGaAs量子阱结构。20nm的量子阱和势垒结构能被分辨。DrC.Norman,Toshiba Research Europe Ltd。
& s8 W8 O. Y" cF GaN薄膜的截面。堆垛层错、螺位错、点缺陷和带隙发光的合成图像。温度=6K
% z1 w# S5 o6 O/ d4 s5 j! _7 zG 氮化物的ELO结构。样品由Prof.Sawaki,Nagoya University提供，图像由Mr Yanagihara提供
H 断裂 与愈合的石英晶体，DrR.Read,Bureau of Economic Geology, University of Texas.
I GaN的平面图，显示出螺位错好杂质偏析
$ C& ?( q/ {8 |MonoCL4 的技术规格与建议

+ r& W& z8 L6 Z0 ]5 j6 }1.推荐用于某些 SEM，
) p% ~7 W5 ^7 a/ C2.两个衍射光栅可能同时安装。附加的、完全矫正的光栅是用户可交换的
3.取代标准 PMT
' F4 b  K; z& A5 t4 l4、可选择所需要的波长范围和/可选的探测设备
5.并非每台 SEM 都有，详情请咨询
6.同时采集功能与第三方的设备不兼容，可能需要购买第三方的软件。需要多信号采集镜
) |& Q+ _+ i8 Z5 {; ]2 u$ ]: T7.共享的硬件和软件

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