TA的每日心情 | 开心 2018-3-18 07:14 |
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签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
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发表于 2018-12-9 10:48:32
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本帖最后由 castengineer 于 2018-12-11 08:52 编辑 5 o) v" }: C8 @
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要用高碳当量来做,我中心冒口的冒口颈尺寸都得改小,现在是通用冒口的冒口颈,得改成控制压力冒口的冒口颈,光这个尺寸确认就难了,我手里就个VGA图,一点实践经验都没有----
* Q, `9 J9 h( Q5 D9 s球铁本身就是过共晶结晶的硕果.高碳当量是要适当的.过多的产生初晶石墨.会降低共晶石墨的析出率.后者对石墨自补的贡献率是前者的6-60倍
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, Q' q4 W3 s/ [! G0 h$ _0 Z得改成控制压力冒口的冒口颈---那这个件可能还会产生第二个缩松区.你这个方案是对的.压力冒口的冒口颈---这个开关,很难控制.
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预测一下.应当调正一下.缩松率会降低.当然.消除是最理想的. |
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