TA的每日心情![](source/plugin/dsu_paulsign/img/emot/kx.gif) | 开心 2018-3-18 07:14 |
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签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
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发表于 2018-12-9 10:48:32
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本帖最后由 castengineer 于 2018-12-11 08:52 编辑 # K7 ~+ I. Y! |" }0 s4 o1 @; H
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要用高碳当量来做,我中心冒口的冒口颈尺寸都得改小,现在是通用冒口的冒口颈,得改成控制压力冒口的冒口颈,光这个尺寸确认就难了,我手里就个VGA图,一点实践经验都没有----
7 s" L% W' c: w8 L/ L g球铁本身就是过共晶结晶的硕果.高碳当量是要适当的.过多的产生初晶石墨.会降低共晶石墨的析出率.后者对石墨自补的贡献率是前者的6-60倍
5 o B0 Y. _+ I: [0 I/ U, d
& P% I2 y0 Z& E: _得改成控制压力冒口的冒口颈---那这个件可能还会产生第二个缩松区.你这个方案是对的.压力冒口的冒口颈---这个开关,很难控制.
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+ ^9 t; C& G( G& e% d6 B$ l: W预测一下.应当调正一下.缩松率会降低.当然.消除是最理想的. |
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