TA的每日心情 | 开心
2020-10-19 20:38 |
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如何防止铸件发生皮下气孔？( W2 Q2 F: g7 m" Q. [6 O
来源：[互联网 ]
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皮下气孔的产生，是铸造过程中各个环节和工序操作不当的综合反应。形成原因复杂，影响因素很多，牵涉到每个人，每到工序，应引起大家的高度重视。
3 |, Y. Y0 W8 @- v 一、原材料方面
% Z, s$ x5 g. x, R `2 U, y9 v 1、含钛（Ti）、含铝（AI）高的原材料以及高合金钢、不锈钢等禁止使用。
- W5 H$ P5 _' o! U4 |! M6 ` 2、锈蚀、氧化严重，油污、煤泥、废砂多的原材料，清理干净后使用。 7 [( v1 P2 K: x6 D1 V
3、潮湿、带水的原材料，干燥后使用。 / T! Y, y [4 a( r6 t
4、小于3mm的薄铁皮（管件）等，禁止使用。
1 L& c+ G+ t* T7 W2 L 5、原材料长度要控制在300～400mm左右。
( u5 Y4 Z) c/ E$ Z 二、铁水熔炼方面 * q& z8 O; q+ B
1、原材料装炉时，一定要紧实，尽量减少空间，以减少铁水吸气和氧化。
1 m1 M, S2 d7 v, r' F0 P 2、在每炉铁水熔化过程中，彻底清渣至少2～3次，并且，清渣后要及时覆盖聚渣和保温材料覆盖铁水，避免铁水长时间与空气接触吸气和氧化。 $ W0 b. X5 {1 v7 B
3、熔化好的铁水，高温等待时间不超过10～15分钟，否则，铁水质量会严重恶化，成为“死水”。 : }, h( J8 D# L4 S
4、出铁温度不低于1540±10℃，出铁后，要及时除渣，同时覆盖聚渣保温剂，防止铁水降温和氧化。 K$ t9 [$ J3 t% ~% D/ |
5、禁用不符合标准的增碳剂。# V% {" K8 E }* }$ U# S$ j* u
三、孕育剂方面 $ s! w' T5 l; z, \4 L# N1 Z' V
1、使用前应经300～400℃烘烤，去除其吸附的水分和结晶水。
5 h. F' K' J9 I I; K% I" z! C 2、孕育剂粒度5～10mm. $ \: g$ \: r: |; P& j4 O4 L
3、孕育剂含铝量<1%) `6 l9 v" | p0 k7 d2 `) j5 S7 k
四、浇注方面 - m4 h* D2 H( Z. Y) I8 s
1、大、小包一定要烘干烘透，湿包禁止使用，严禁用铁水烫包代替烘干。 : \5 v# F; d5 V' x3 Q7 i3 Z
2、提高浇注温度，高温快浇。浇注原则：慢-快-慢。实践证明，浇注温度提高30-50℃，可使气孔发生率大大降低。浇注时要让铁水始终充满直浇道，中间不断流，以迅速建立铁水静压力，抵制界面气体侵入。
& h# g4 @0 H3 x$ _ t3 e$ S 3、小包铁水温度低于1,350℃禁用，应回炉提温后使用。
+ w2 U$ Q5 i4 R8 h, | f 4、加强挡渣、蔽渣，及时清除氧化皮，防止其带入型腔。, K R! x* ?- B% @6 T; k
五、混砂方面
! B* B% S; Y. \* L 1、严格控制型砂水分不大于3.5%.
t9 z- z K; \ q; o 2、型砂透气性控制在130～180，湿压强度120～140kPa,紧实率35%～38%，型砂表面硬度>90. 3、选用优质膨润土和煤粉。 & I/ p% q$ p& j J0 B
4、按规定配入新砂。
9 ^. S5 S6 e& Z# \9 W 5、每天混砂结束，要将多余型砂回收，并彻底清理和打扫混砂机。$ g: y$ a! @- x' b4 P$ A4 l
六、模具和造型方面' D4 D9 X& |/ f. o$ s' d
1、模具分型面要设排气孔槽或排气道及暗气室，以减轻气体压力。4 ^( O. \5 v) G" M# b
2、在模具上增设暗气室，以减轻气体压力。 . s9 R# g) u9 d1 @# S
3、在横浇道或砂芯上面洒冰晶石粉（用量多少，通过试验后确定）。
) Q( U! o6 X% i5 W; T3 r4 ? 七、制芯方面
6 t/ A0 \) p" f' n 1、硅砂含水要求<0.2%，含泥量<0.3%。 ( Y4 L- @% M/ \6 a* Z3 _1 m( K# h
2、制芯工艺：混砂前，硅砂需加热至25～35℃，先将组分1加入砂中，混制1～2分钟，再加入组分2，继续混制1～2分钟。两组分加入量各为砂的质量分数的0.75%. 2 U' K, e# O, ^- z; \8 y
3、由于聚异氰酸脂对水的敏感度较高，制好的砂芯存放时间不应超过24小时。
2 r/ y3 p) B1 j9 i/ g- M 4、三乙胺浓度和残留量过高，易使铸件产生皮下气孔。（来源／互联网，编辑／景立文） y) v. M. x* T" d
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