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[讨论] 奥氏体晶界贫碳区如何形成?

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该用户从未签到

发表于 2010-3-23 06:46:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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宋维锡金属学第二版342页说浓度起伏造成奥氏体晶界贫碳区,想知道详细解释?

该用户从未签到

发表于 2010-3-24 10:19:37 | 显示全部楼层
请参考如下书中解释:
因为在奥氏体的两个相界面之间C浓度不等,就造成了一个浓度差Cy—‘。一Cr《。这
样,奥氏体中的c就要从高浓度的奥氏体—渗碳体相界面一边向低浓度的奥氏体-铁素体
相界面扩散,结果破坏了在该温度(丁t)下相界面的平调浓度。为了维持原来的相界面的局部平衡(如图1—126)中
Cv…m—cy。实线所示),渗碳体必须溶入奥氏体以供应碳量,  使其界面的C浓度恢复到
Cb“*。铁索体必须转变为奥氏体,使其界面的c浓度恢复到C?—。这样  奥氏体的相界
面就自然地同时向渗碳体和铁索体中推移,使奥氏体不断长大。
    此外,与碳在奥氏体中扩散的同时,在铁素体中也进行着碳的扩散,这是因为在铁索
体、奥氏体和渗碳体三相共存时,在铁素体中也存在着碳浓度差Cd—。一Ce‘p。尽管这种碳
浓度差很小,但也会引起碳从铁素体—渗碳体相界面向铁索体-奥氏体相界面进行扩散(见图
1—H6),这种扩散也有促使奥氏体形成的作用。

该用户从未签到

发表于 2010-3-24 10:19:48 | 显示全部楼层
请参考如下书中解释:
因为在奥氏体的两个相界面之间C浓度不等,就造成了一个浓度差Cy—‘。一Cr《。这
样,奥氏体中的c就要从高浓度的奥氏体—渗碳体相界面一边向低浓度的奥氏体-铁素体
相界面扩散,结果破坏了在该温度(丁t)下相界面的平调浓度。为了维持原来的相界面的局部平衡(如图1—126)中
Cv…m—cy。实线所示),渗碳体必须溶入奥氏体以供应碳量,  使其界面的C浓度恢复到
Cb“*。铁索体必须转变为奥氏体,使其界面的c浓度恢复到C?—。这样  奥氏体的相界
面就自然地同时向渗碳体和铁索体中推移,使奥氏体不断长大。
    此外,与碳在奥氏体中扩散的同时,在铁素体中也进行着碳的扩散,这是因为在铁索
体、奥氏体和渗碳体三相共存时,在铁素体中也存在着碳浓度差Cd—。一Ce‘p。尽管这种碳
浓度差很小,但也会引起碳从铁素体—渗碳体相界面向铁索体-奥氏体相界面进行扩散(见图
1—H6),这种扩散也有促使奥氏体形成的作用。
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