TA的每日心情 | 开心 2018-3-18 07:14 |
---|
签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
|
发表于 2018-12-9 10:48:32
|
显示全部楼层
本帖最后由 castengineer 于 2018-12-11 08:52 编辑
. l/ z( _# Y4 k6 `7 P7 ]# u' p3 c9 z2 ^% b8 x2 c
, E' y' g1 W0 w# y. I: d6 n% l9 A
要用高碳当量来做,我中心冒口的冒口颈尺寸都得改小,现在是通用冒口的冒口颈,得改成控制压力冒口的冒口颈,光这个尺寸确认就难了,我手里就个VGA图,一点实践经验都没有----: f0 }( B9 W0 H- g, `2 R X
球铁本身就是过共晶结晶的硕果.高碳当量是要适当的.过多的产生初晶石墨.会降低共晶石墨的析出率.后者对石墨自补的贡献率是前者的6-60倍
) O' M8 M! H2 E0 K
" k8 C+ l0 G, r0 @6 X9 ^得改成控制压力冒口的冒口颈---那这个件可能还会产生第二个缩松区.你这个方案是对的.压力冒口的冒口颈---这个开关,很难控制.
1 \0 B% c. x3 ^: q2 Q9 o; x0 y4 I. G6 `' [
预测一下.应当调正一下.缩松率会降低.当然.消除是最理想的. |
|