TA的每日心情 | 开心 2018-3-18 07:14 |
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签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
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发表于 2018-12-31 18:50:12
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本帖最后由 castengineer 于 2018-12-31 20:05 编辑
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董工,可否这么理解:1540保温10分钟烧损绝大部分增碳剂核心,但是也解决了少量石墨粗大或者石墨节问题。-----是对的.
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0 P- x6 h+ q/ n e1 C# K那么碳化硅经过高温保温过程其带来的核心是不能被烧损掉的??如果没有烧损掉,这些核心将是最可靠的一次形核来源-----
# M3 m: S7 l8 i6 A- v' N" I这个问题问的好:
, L4 }1 I* H0 O, E1:碳化硅的熔融过程.是碳化硅的高碳和高硅,在相对其碳.硅浓度的铁水中,一个熔融过程.会在铁水和碳化硅边界遗留下来的高硅区,高C区,这个高硅区,高C区,不会自形核.所以有的大师的碳化硅形核论是错误的,6 n; K8 M& V& w9 E* f
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2::碳化硅的熔融过程,是随着温度提高而加剧.如果没有形核核心基底..这个高硅区,高C区.会逐渐与其周界的铁水.碳.硅浓度平衡过程.使铁水碳.硅量增加.也不会有增加石墨片的功能.我在前贴中谈到.碳化硅第一位.孕育第二位.因为硅铁的孕育金属学过程中.有FeSi四周SiC晶体的存在的过程.
$ ]+ h. N7 O4 o! `5 s* K4 H碳化硅熔融形成碳、硅不平衡的浓度不均,以及碳的高活度区的存在,灰铁中MnS做为形核基底.才会有孕育效果.....' v; f. {, N/ d# C4 W. X
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那么,"碳化硅经过高温保温过程其带来的核心是不能被烧损掉的"的担心就不必要的了.# z, C' A2 Y% m7 j
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