TA的每日心情 | 开心 2018-3-18 07:14 |
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签到天数: 752 天 连续签到: 1 天 [LV.10]以坛为家III
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发表于 2018-12-31 18:50:12
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本帖最后由 castengineer 于 2018-12-31 20:05 编辑 ]6 C# B9 e6 P$ p" i
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4 E* ^* }9 w0 E4 @: k. v+ U! c0 g董工,可否这么理解:1540保温10分钟烧损绝大部分增碳剂核心,但是也解决了少量石墨粗大或者石墨节问题。-----是对的. - Q1 u) |6 h; {, f- p! J
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& W5 |! C7 W+ o4 G, U) i那么碳化硅经过高温保温过程其带来的核心是不能被烧损掉的??如果没有烧损掉,这些核心将是最可靠的一次形核来源-----
4 E: A/ U+ }& l8 S4 v( t这个问题问的好:0 U- s8 G, o" R1 U: k
1:碳化硅的熔融过程.是碳化硅的高碳和高硅,在相对其碳.硅浓度的铁水中,一个熔融过程.会在铁水和碳化硅边界遗留下来的高硅区,高C区,这个高硅区,高C区,不会自形核.所以有的大师的碳化硅形核论是错误的,* m+ E. G+ @5 R) t D2 n/ b
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2::碳化硅的熔融过程,是随着温度提高而加剧.如果没有形核核心基底..这个高硅区,高C区.会逐渐与其周界的铁水.碳.硅浓度平衡过程.使铁水碳.硅量增加.也不会有增加石墨片的功能.我在前贴中谈到.碳化硅第一位.孕育第二位.因为硅铁的孕育金属学过程中.有FeSi四周SiC晶体的存在的过程.
& C) L4 F1 W* J碳化硅熔融形成碳、硅不平衡的浓度不均,以及碳的高活度区的存在,灰铁中MnS做为形核基底.才会有孕育效果.....
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w: P* e; @6 e, Q0 ]那么,"碳化硅经过高温保温过程其带来的核心是不能被烧损掉的"的担心就不必要的了.; b+ n. g7 T4 V4 Y6 p! @" E' B
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