中频电源中采用可控硅和IGBT模块有什么区别？

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中频电源中采用可控硅和IGBT模块有什么区别？

简单的说，可控硅（KGPS）是半控器件，加正电压同时给门控电压时导通，关断则反电压即可。而IGBT是全控器件，仅栅极既可以控其通断。

可控硅的开关速度很低，IGBT的很高。可以脉宽调制控制，可控硅不行。只能做移相触发。

1.可控硅中频电源也就是晶闸管，我们常说的KGPS.这类电源的优点是技术成熟，质量可靠，价格便宜，缺点是电效率相比IGBT中频电源低10%-20%，另外整流部分的谐波对用户电网系统有影响，严重时会损坏电网内其他设备。

2.IGBT中频电源，这类电源在国内开发周期不长，优点是电效率高，一般可达90%以上，故然比可控硅电源节电10%-20%，对电网影响很小，缺点是：技术成熟度相对可控硅低一点，价格对比可控硅较高，但是从长期的节电效果来说购买IGBT电源还是相当划算的，因为你一年节省的电费完全可以再买一台或者两台这样的设备。

3.从体积上来说，KGPS（晶闸管）可控硅中频电源，这种同功率比较相对来说体积会比IGBT中频电源大一些，其实大多数IGBT的感应设备，频率都在10KHZ以上，而可控硅中频设备频率都在10KHX以下中频的设备。

4.可控硅式（KGPS）中频电源频率都较小，但是功率可以做得比较大，国外有可以做到4000KW。而IGBT中频电源因为他的频率较高，而导致它的功率不可能做得像KGPS中频电源那么大的功率。

科技在发展，任何事情都没有那么绝对，我们都在试图用IGBT电源开发大功率的加热设备。目前好像有IGBT电源功率可达到1000KW而频率也在50KHZ的感应加热设备。（来源：互联网，整理）