HT200疑难问题

jinshao168

2 X7 a' Z0 I* [" r
要求铸件为HT200

& d$ A6 a& O* R1 }9 A' Y本厂所做工件元素含量   C 3.3-3.5%   si 2.0%    Mn 0.6-0.7%  P 0.08%  S 0.046%

铸件厚度： 最薄处 4mm     最厚处  10mm     单重 5Kg  
& j; P5 R4 n1 x3 H( c
/ @+ w" o  h" \铸件开箱时间较长

7 B: `5 Q" B& u! ^3 W5 J8 e抗拉强度和珠光体含量达不到标准要求，请问是什么原因？怎样才能够解决？

和开箱时间有关系吗？

问问

我认为跟开箱时间没有关系，加锰铁，和废钢，应该可以解决吧

fscafy

本厂所做工件元素含量   C 3.3-3.5%   si 2.0%    Mn 0.6-0.7%  P 0.08%  S 0.046%   

5 r" C: Z3 m# X6 Z! ?% ]# |* j推荐: C 3.1-3.3%   si 2.0-2.2%    Mn 0.6-0.7%   P小于0.06%  S 0.06～0.09%   ；sn：0.03～0.05%

chinahot

成分控制有要求吗？

jinshao168

4# chinahot
. Y% @2 C0 t; e0 Z' f/ p

没有要求，但是机械性能必须达到HT200

jinshao168

5# jinshao168


6 B8 K- }# O  _' f! H请高手解答一下HT200铸件的开箱时间，开箱时间和铸件的大小有关系吗？

a_du

跟开箱时间应该没多大关系
薄壁小件是否该考虑C:3.2-3.3 SI:2.2呢

zhaoyangyang

如此薄的铸件，开箱时间和铸件的珠光体含量、强度没有多大关系。楼主还是考虑浇注时的孕育及降低原铁水的碳含量吧

apgzwl

是本体强度、还是单铸强度，硬度是多少、珠光体又是多少？

gxh96

看上去C是高点，降低点试试呢。

时空漫步

C有点高，C:3.2-3.3，同时加强孕育，控制浇注时间，防止孕育衰退

chinahot

你内控的范围太宽，碳的控制要求太宽，向下控制3.25--3.32%，为保证薄壁不出现白口，应该加强随流孕育措施，你这不是球铁件，开箱时间对珠光体的影响不大。锰控制在0.7-.8%，硅在2.1左右

kyboZ

1# jinshao168
; o( C& n" a) x: J. q你的件属于薄壁小件，开箱时间长点有好处，那么就得从成分上调整，C:3.3左右，Si：2.0左右，S：1.0左右
, v. m: ]" H  e# H200的抗拉强度应该很容易达到啊，看看试棒做的规范不

jinshao168

13# kyboZ
+ I) y) J& B# x( k4 |) h0 y
* L2 h8 O' x5 _' \
炉前用的有75%硅粒，发现铸件有时候会在最薄处出现白口，炉前加硅和炉后加硅量应该如何控制？
9 W/ e8 q6 N1 ^' R" A两者的相对比例大概多少呢？
; b: X2 i' p5 B% }$ N1 Q- B另外用了硅粒还要用别的孕育剂吗？

jinshao168

13# kyboZ


硫的含量大概多少呢？查资料说是在0.6%-0.9%，这个范围对吗？

双伯

0.06-0.09

luckilyliu

同意2楼

HONGJIAN

和开箱的时间不大，之所以考虑开箱时间的影响，主要是利用余热进行热处理，但是薄壁铸件冷却时间很短！建议降碳，增加硅，提高硅碳比！

ganxf

九楼说的是，楼主先告诉大家你的要求（包括强度、硬度、珠光体量）是本体还是单铸试棒，然后再确定你的成分及工艺方法。因为，如此薄的件，其本体与单铸试棒间的性能有很大差别。