纳士达 都百特 鑫工艺

热加工行业论坛

 找回密码
 免费注册

QQ登录

只需一步,快速开始


查看: 1430|回复: 0

[交流] 分析定向凝固多晶硅中细晶的产生

[复制链接]

该用户从未签到

发表于 2011-8-1 12:23:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多热工坛友,更多精彩内容等着您!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?免费注册

x
直至当前,多晶硅材料仍然凭借其高性价比占据着世界光伏市场的主体地位。多晶硅的晶粒大小及组织形态与电池性能有着密切联系,粗大均一的晶粒有利于得到高质量的硅片,从而提高电池转化率。但是,在利用定向凝固法生长多晶硅锭时,晶锭的中心区域常常发现晶粒尺寸小于1mm2的细晶区域,其电学性能较差。如何避免细晶的产生,获得粗大均匀的结晶组织一直是生产多晶硅晶体追求的目标。多晶硅的晶粒形貌和尺寸,很大程度上取决于铸锭炉的热场结构和工艺过程。可借助于数值仿真技术,对铸锭多晶硅的结晶过程进行了仿真分析和实验。并通过对结晶界面形状、界面前沿的温度梯度、结晶速度、界面前沿熔体的流速等参数的比较,分析了多晶硅晶锭结晶过程中产生细晶的原因,并对如何避免细晶的产生提出了建议。

铸锭多晶硅是目前最主要的光伏材料,其结晶组织的形貌对太阳能电池的转换效率有着显著的影响。粗大均一的晶粒有利于得到高质量的硅片,从而提高电池转化效率。而在多晶硅锭的中心区域经常发现晶粒尺寸小于1mm2的细晶,其电学性能较差,影响该部分硅片的质量。利用计算机仿真技术和实验测量,结合组分过冷理论,对细晶形成机理和影响因素进行了探讨。研究表明,提高结晶界面前沿熔体的温度梯度与结晶速度的比值G/V、增强界面前沿熔体的对流强度,并维持较为平坦的结晶界面,有利于避免细晶的产生。

采用计算机仿真技术对两种不同的热场结构进行了仿真分析,并进行了实验。对于多晶硅铸锭中心部分区域产生细晶的现象,从结晶界面前沿的温度梯度与结晶速度比值G/V、熔体的径向对流强度以及结晶界面的形状等因素进行了分析可知:

1)对同一种热场结构,随着结晶过程的进行,G/V值在结晶初期略有降低后逐渐增大,产生细晶的可能性逐渐降低。对于不同的热场结构,是否产生细晶以及细晶含量的多少不能单独通过比较G/V的值来判定。

晶锭中心处结晶界面前沿熔体的径向对流强度较弱,使得该处溶质边界层较厚,是导致细晶出现在该处的主要原因。强化结晶界面前沿熔体的径向对流强度,有利于减少该处的边界层厚度,降低产生细晶的可能性。

相比较上凸的结晶界面,平坦的结晶界面,有利于抑制细晶的产生。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 免费注册

本版积分规则

QQ|手机版|Archiver|热加工行业论坛 ( 苏ICP备18061189号-1|豫公网安备 41142602000010号 )
版权所有:南京热之梦信息技术有限公司

GMT+8, 2024-4-26 01:42 , Processed in 0.667686 second(s), 26 queries .

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表